CVDは、基板の表面で化学ガスまたは蒸気が反応してコーティングまたはナノ材料に合成する方法を指す。ＣＶＤは半導体業界では、絶縁材料、金属材料、金属合成材料を含むさまざまな材料を堆積させるために、最も広く使用されている技術である。理論的には、非常に簡単だと言われている。二つまたは二つ以上のガス状原料を反応チャンバーに導入し、それらが化学的に反応して新しい材料を形成してウェハ表面に堆積するということなである。シランと窒素の反応によって形成される堆積窒化ケイ素膜（Si3N4）は代表的な例のだ。
なお、実際には、反応チャンバー内の反応は非常に複雑である。堆積パラメーターの変動範囲は広いので、反応チャンバー内の圧力、ウェハの温度、ガス流動のスビート、ガス通過のルートなどを考えなければならない。また、ガスの化学組成、ガスとガスの比率、反応のとき生成物の役割、外部エネルギー源なども反応に影響を与える要因となっている。
CVD技術は圧力によって分類すると、低圧CVD（LPCVD）、大気圧CVD（APCVD）、準常圧CVD（SACVD）、超高真空CVD（UHCVD）、プラズマ強化CVD（PECVD）密度プラズマCVD（HDPCVD）と急速熱CVD（RTCVD）などの反応タイプがある。また、有機金属CVD（MOCVD）が金属源の特性による分類している。これらの金属の典型的な状態は液体であり、容器に導入する前にガス化しなければならない。
資料引用元：https://baike.baidu.com/item/%E6%B0%94%E7%9B%B8%E6%B2%89%E7%A7%AF%E6%B3%95/7754879?fr=aladdin
筆者：周文薏
2019年12月5日